一、設備概況
1.1設備用途：晶體材料生長設備。
1.2 VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點：
1.2.1用于GaAs等化合物晶體的生長；
1.2.2按結構形式:垂直生長,水平生長；
1.2.3按生長方式:梯度生長及移動生長 ；
1.3晶體生長尺寸：2-6寸
1.4設備分類:HB 、HGF 、VGF 、VB
二、主要技術參數
提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。
結構形式 | 單管水平式，加熱爐體可左右移動 |
適合晶體（可定制） | 2~4寸 |
爐體有效加熱長度 | 1600mm |
最高工作溫度 | 1300℃ |
恒溫區精度（靜態閉管） | ±0.5℃ |
升溫速率 | 斜變升溫速率可控在0~15℃/min |
降溫速率 | 0~5℃/min |
供電電源 | 三相五線~380V±10% ,50Hz |